Со дня своего создания в 1994 году CIB-модули (converter — inverter — brake, конвертер — инвертор — чоппер), созданные для управления маломощными инверторами (до 3,7 кВт), получили широкое распространение благодаря своим низким показателям суммарных потерь и высокого уровня надежности. Однако требования рынка непрерывно растут, и возникает необходимость в более компактных устройствах, с малыми потерями и недорогой себестоимостью производства.
При разработке модулей специалисты компании Mitsubishi Electric использовали две технологии: CSTBT
- технологию изготовления кристаллов и технологию литьевых форм.
Технология изготовления литьевых пресс-форм была успешно применена еще 5 лет назад при производстве интеллектуальных силовых модулей 600В (IPM). Последующие усовершенствования внутренней структуры модулей, связанные с конструкцией выводов и оптимизацией распределения тепла, а также развитие технологии изготовления кристаллов IGBT-транзисторов привели к созданию и выпуску на рынок CSTBT-модулей (Carrier Stored Trench Bipolar Transistor) — надежных и недорогих модулей с хорошими параметрами теплоотвода.
Сегодня Mitsubishi Electric сделала новый шаг в развитии технологии литьевых форм, результатом которого стали новые CIB-модули на 600В (с номинальным током 20…30А) и на 1200В (на токи 10…25А), а также специализированные высоковольтные микросхемы управления (HVIC). Модули имеют маркировку CPxxTD1-12A/CPxxTD1-24A.
Силовые модули DIP-CIB были выпущены на рынок в октябре 2006 года и предназначены для инверторов общего назначения и маломощного промышленного привода до 5,5 кВт. Они интегрируют возможности всех современных технологий: CSTBT-техно-логии изготовления кристаллов и технологии корпусирования, благодаря которой удалось добиться низкого термосопротивления. Их компактная конструкция и радиаторы специальной формы полностью удовлетворяют международным стандартам безопасности UL508 и IEC664-1. Все модули выпускаются в бессвинцовом исполнении.
Новые модули CIB представляют собой интегрированное устройство, включающее трехфазный входной выпрямитель, чоппер, трехфазный инвертор, а также термистор (NTC) для измерения температуры основной подложки. Модули имеют топологию с открытым эмиттером.
Специально разработанная высоковольтная микросхема 1200В с двухсторонней схемой сдвига напряжения имеет отдельные терминалы драйвера для включения, выключения и удерживания IGBT в закрытом состоянии. Такая микросхема является надежным элементом управления двигателя, когда требуется развязка между контроллером и CIB-модулем.
Как и многие современные силовые компоненты, модули имеют полный набор функций защиты.
Основные технические параметры CIB-модулей:
• напряжение коллектор-эмиттер: 600В, 1200В;
• ток коллектора: 20А (600В), 30А (600В), 10А (1200В), 15А (1200В), 20А (1200В;
• напряжение изоляции: 2500В (эфф.);
• температура перехода –20…+150°С.
Ремонт и Сервис
РС2-2008
